UPA801T-A

Производится
UPA801T-A - CEL
Увеличить
Краткое описание: NPN BJT SOT-363 12V 100mA 200mW
Производитель CEL
Статус производства Производится (VOLUME PRODUCTION)

Дополнительная информация

The UPA801T-A is a surface mount NPN bipolar junction transistor with a collector-emitter breakdown voltage of 12V and a maximum collector current of 100mA. It has a maximum power dissipation of 200mW and a transition frequency of 4.5GHz. The transistor is packaged in a SOT-363 package and is available in bulk packaging. It operates over a temperature range of -40°C to 150°C.
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
hFE Min 70
Polarity NPN
Packaging Bulk
Package/Case SOT-363
Transition Frequency 4.5GHz
Max Collector Current 100mA
Max Power Dissipation 200mW
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Continuous Collector Current 100mA
Collector-emitter Voltage-Max 12V
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.