NTE129P

Производится
NTE129P - NTE Electronics
Увеличить
Краткое описание: Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
Производитель NTE Electronics
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
RoHS Not Compliant
Mount Through Hole
Width 3.55mm
Height 4.57mm
Length 5.08mm
Polarity PNP
Package/Case TO-237
Max Frequency 50MHz
RoHS Compliant No
Power Dissipation 850mW
Reach SVHC Compliant No
Transition Frequency 50MHz
Max Collector Current 1A
Max Power Dissipation 850mW
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 80V
Collector Emitter Breakdown Voltage -80V
Collector Emitter Saturation Voltage 350mV

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.