ZXTN04120HKTC

Производится
ZXTN04120HKTC - Diodes
Увеличить
Краткое описание: Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2
Производитель Diodes
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2
RoHS Compliant
Mount Surface Mount
Weight 0.007055oz
hFE Min 500
Polarity NPN
Packaging Tape and Reel
Package/Case TO-252-3
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 2500
Radiation Hardening No
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 120V
Max Collector Current 1.5A
Max Power Dissipation 1.5W
Gain Bandwidth Product 150MHz
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -55°C
Emitter Base Voltage (VEBO) 14V
Continuous Collector Current 1.5A
Collector Base Voltage (VCBO) 140V
Collector-emitter Voltage-Max 1.5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 120V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.