CM50DU-24F
Производится
Увеличить
Краткое описание:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
Дополнительная информация
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
| RoHS | Compliant |
| Input | Standard |
| Mount | Chassis Mount |
| Series | IGBTMOD™ |
| Packaging | Bulk |
| Package/Case | Module |
| Current Rating | 50A |
| NTC Thermistor | No |
| RoHS Compliant | Yes |
| DC Rated Voltage | 1.2kV |
| Input Capacitance | 20nF |
| Max Collector Current | 50A |
| Max Power Dissipation | 320W |
| Max Operating Temperature | 150°C |
| Min Operating Temperature | -40°C |
| Collector-emitter Voltage-Max | 2.4V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.
