STGW60H65DFB

Производится
STGW60H65DFB - Stmicroelectronics
Увеличить
Краткое описание: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель Stmicroelectronics
Статус производства Производится (ACTIVE)

Дополнительная информация

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
RoHS Compliant
Mount Through Hole
Width 5.15mm
Height 20.15mm
Length 15.75mm
Weight 1.340411oz
Lead Free Lead Free
Packaging Rail/Tube
Input Type STANDARD
Package/Case TO-247-3
RoHS Compliant Yes
Package Quantity 30
Reach SVHC Compliant No
Max Collector Current 80A
Max Power Dissipation 375W
Reverse Recovery Time 60ns
Max Operating Temperature 175°C
Min Operating Temperature -55°C
Collector-emitter Voltage-Max 2V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V

Если у вас не открывается документ, нажмите, чтобы открыть файл в новой вкладке.